更快***！三星发布20纳米闪存颗粒！

　　据三星公司介绍，采用20纳米工艺生产的MLC NAND芯片在产量上将比过去的30纳米产品提高50%，且速度也能提升30%左右。更具体地讲，这种闪存颗粒的读取速度可以达到20MB/秒，写入速度可达10MB/秒，相当于SD/SDHC传输规范的Class 10等级。

　　未来，采用三星20纳米工艺制造的MLC NAND芯片将会在更广泛的领域崭露头角（目前展示的产品只有4-64GB的SDHC存储卡），而更快的速度、更低的价格将成为其克敌制胜的法宝。